A klasszikus Si alapú elektronikával szemben a vegyületfélvezető alapú elektronikai eszközök olyan tulajdonságokkal rendelkeznek, amelyeket felülmúlják elődjét (pl. magas hőmérsékletű működés, 2DEG létrehozása, változatos heteroátmenetek, stb.). Egy AlGaN/GaN rétegszerkezetű anyagból készített tranzisztornál a vezetési tulajdonságokat nem csak a hagyományos kapuelektródával, de mechanikai erőhatással is lehet modulálni.

A feladat célja ebbe a kutatásba való becsatlakozás és a hozzá tartozó méréstechnika kialakítása, mérések elvégzése és kiértékelése.

A feladat megoldása során a következő ismereteket kell elsajátaítani/alkalmazni:

• tisztatéri környezetben való munkavégzés,
• áramkörtervezés és -építés,
• mikrokontroller és/vagy mérésadatgyüjtő programozás.

Az elvégzendő feladatokhoz minden segítséget megkap a hallgató.