A téma célja atomi rétegleválasztással készült szulfidok készítésének optimalizálása és a szenzorikai, optoelektronikai és energiatermelési és tárolási alkalmazásai. A célzott anyagok (FeS_x, MoS₂, TiS₂, GaS_x és HfS₂) ALD leválasztása új technológia, ezért maga az elkészítésük, és a leválasztási paraméterek optimalizálása is kihívás. Az ALD módszer előnyei, a vastagság és az adalékolás atomi szinten való kontrollálása, és hogy mikrostruktúrákat is tökéletesen be tud vonni, különösen vonzó eljárássá teszi a felhasználások szempontjából.

A javasolt téma anyagai, a vas-szulfid, különösen érdekes  napelemtechnológiai alkalmazásokra, mivel magas abszorbanciája még nanométeres vastagságban is olcsó és könnyen felhasználható anyaggá teszi. A MoS₂, HfS₂ és a TiS₂ is nagyon jól használható anyagok a vízbontásban, és a GaS_x is egy kiválóan hasznosíthtó széles tiltott sávú félvezető, amelynek igen fontos optoelektronikai és fotovoltaikus alkalmazásai vannak.