Funkcionális szulfid nanorétegek atomi rétegleválasztása és elektromos minősítése (EK MFA)

A téma célja atomi rétegleválasztással készült szulfidok készítésének optimalizálása és a szenzorikai, optoelektronikai és energiatermelési és tárolási alkalmazásai. A célzott anyagok (FeSx, MoS2, TiS2, GaSx és HfS2) ALD leválasztása új technológia, ezért maga az elkészítésük, és a leválasztási paraméterek optimalizálása is kihívás. Az ALD módszer előnyei, a vastagság és az adalékolás atomi szinten való kontrollálása, és hogy mikrostruktúrákat is tökéletesen be tud vonni, különösen vonzó eljárássá teszi a felhasználások szempontjából.

A javasolt téma anyagai, a vas-szulfid, különösen érdekes  napelemtechnológiai alkalmazásokra, mivel magas abszorbanciája még nanométeres vastagságban is olcsó és könnyen felhasználható anyaggá teszi. A MoS2, HfS2 és a TiS2 is nagyon jól használható anyagok a vízbontásban, és a GaSx is egy kiválóan hasznosíthtó széles tiltott sávú félvezető, amelynek igen fontos optoelektronikai és fotovoltaikus alkalmazásai vannak.

A feladat főleg az elkészült vékonyrétegek elektromos minősítésére fókuszál.

A feladat során a következő ismereteket kell elsajátítani:

  • Tisztatéri környezetben való munkavégzés.
  • Mikroelektronikai eljárások megismerése.
  • Elektromos méréstechnikák végzése.

 

A munkavégzés helye: EK Nanoszenzor labor (KFKI campus Csillebérc, www.ek-cer.hu) – min. heti 1 teljes nap

Témavezető: Dr. Baji Zsófia (baji.zsofia@energia.mta.hu)