Növekményes n-MOS tranzisztorok fejlesztése
A 2.5D integrált SiP eszközök esetén (pl.: intel Core Ultra processzor család) a különböző gyártástechnológián megvalósított félvezető chipeket egy közös, ugyancsak szilíciumból kialakított köztes hordozóra (interposer) helyezik. Ezen a köztes hordozón valósul meg a chipek közötti kommunikáció kialakítása, ami lehetővé teszi, hogy az egész rendszer úgy viselkedjen (a chipek közötti jelutak késleltetése akkora legyen) mintha egyetlen, közös félvezetőn valósítottuk volna meg. Attól függően, hogy ez a köztes hordozó az összeköttető és újraelosztó hálólaton kívül megvalósít e más funkciót beszélhetünk passzív vagy aktív köztes hordozóról.
Aktív hordozó esetében maga a hordozó szilíciumban helyezünk el aktív eszközöket, pl. tranzisztorokat. A jelen önálló laboratórium téma célja az Elektronikus Eszközök Tanszékén rendelkezésre álló tisztatéri technológiák segítségével egy n-csatornás növekményes tranzisztor méretezése és gyártási technológiájának kidolgozása, amely a 2025.01.01-vel induló HCHiP EU projekt keretében kialakítandó, a BME-VIK Elektronikus Eszközök Tanszéke tisztaterében előállításra kerülő 2.5D integrált rendszerek aktív szilícium köztes hordozóiban megvalósítandó áramkörökben alkalmazható.
A témakiírás feladatai tisztatéri munkavégzést igényelnek, amelyek a technológia sajátosságai miatt általában több órás blokkokban tömbösítve, a projektben résztvevő kutatókkal egyeztetve, tanszéki kollegák felügyelete alatt végezhetők.
A téma szakdolgozattá, diplomatervvé is tovább vihető. Tudományos Diákköri Konferencián (TDK) történő bemutatása - tervszerű, sikeres előrehaladás esetén - feltétlen javasolt!
A feladat csak a konzulensekkel történt előzetes egyeztetés alapján választható!