Szakmai önéletrajz

Egyetemi tanulmányok: 1971-77., Budapesti Műszaki Egyetem.
Diploma: 1976., a Villamosmérnöki Kar Elektronikai Technológia szakán jeles eredménnyel. Kutató-fejlesztő szakmérnöki diploma: 1977. (A-C képzési rendszerben ).
Munkahely: Budapesti Műszaki Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke, 1977-től tanársegéd. 1983-tól adjunktus, 1992-től docens, 2004-től 2022-ig egyetemi tanár, 1992-2001 között tanszékvezető helyettes, 2005-2008 között dékánhelyettes (oktatási ügyek). 2022-től professzor emeritus. 
Tudományos fokozatok: egyetemi doktori fokozat: 1979., műszaki tudomány kandidátusa 1987., e fokozat alapján PhD: 1995., akadémiai doktori fokozat: 2003.
Habilitáció: 2003.
Szakmai gyakorlatok: a Híradásipari Kutató Intézetben, illetve jogutódjánál, a Mikroelektronikai Vállalatnál, 1978-ban két hónap, 1981/82-ben 10 hónap.
Tanulmányutak: 1989., 1.5 hónap a Müncheni Műszaki Egyetemen, 1989., 3 hónap az Oulu-i (Finnország) egyetemen, ugyanitt meghívott kutatóként 1.5 hónap 1990-ben, 1992-ben, és 1995-től minden évben 1-1.5 hónap, kéthetes tanulmányút Hollandiában a Delfti Műszaki Egyetemen, 1991.
Ösztöndíjak: UNIDO ösztöndíj, 1.5 hónap a Mücheni Műszaki Egyetemen, 1989. OÖT ösztöndíj, 3 hónap az Oulu-i (Finnország) Egyetemen, 1989. „Pannon GSM” professzori ösztöndíj, 10 hónap, 1998. szept.-1999.jun. „Széchenyi” professzori ösztöndíj, 2000. jan.-2003. dec.
Külföldi és hazai konferenciákon való részvétel: mintegy 50 alkalommal, rendszerint publikációval.
Publikált közlemények összes száma: 203
Független hivatkozások száma: 1263
Tudományos egyesületi tagság: 1979 óta HTE, 1986 óta MATE, megalakulása óta akadémiai köztestületi tagság.
Nyelvismeret: angol (középfokú állami nyelvvizsga, általános anyagból, valamint speciális szakmai szakszókincs ismerete, szakfordítási, referálási gyakorlattal), orosz (alapfokú vizsga), finn.

Oktatás

• félvezető eszközök, VO2 termikus elektromos rendszerek
• napelemek és megújuló energiaforrások
• félvezetős kémiai érzékelők
• félvezető szeletek méréstechnikája

Kutatási terület

Fő érdeklődési területei: félvezetők technológiája, elektronikus eszközök elmélete és gyakorlata, napelemek, félvezetők felületfizikája, gázérzékelők, felületek feltérképezése.
Jelenlegi kutatási területek: kilépési munka (felületi potenciál) mérések szilárdtest felületeken rezgőkondenzátorral (Kelvin módszer), katalitikusan aktivált félvezető gázérzékelők felületi potenciáljának vizsgálata, optikai gerjesztés hatására bekövetkező töltésváltozások ultravékony SiO2-Si rétegszerkezeteken és porózus szilíciumban, pásztázó rezgőkondenzátor fejlesztése szagképek előállítására, nagy átmérőjű Si szeletek felületének térképezésére, nanokristályok előállítása ultravékony fémrétegek agglomerációjával félvezető gázérzékelők aktiválására, pásztázó felületvizsgálati módszerek.
Cikkek a hálózaton (nyomtatásban a Journal of Nanoparticle Research, Thin Solid Films, Vacuum, Sensors and Actuators B és a Solid State Electronics c. folyóiratokban, a címekre klikkelve a részletes adatok és a tartalmi kivonatok megjelennek): Chemical imaging by direct methods Fermi-level pinning and passivation on the oxide-covered and bare silicon surfaces and interfaces Chemical images by artificial olfactory epithelia In situ AFM, XRD and Resistivity Studies of the Agglomeration of Sputtered Silver Nanolayers Ultra-thin insulator covered silicon: potential barriers and tunnel currents Structural transformations of ultra-thin sputtered Pd activator layers on glass and SnO2 surfaces Determination of SiO2-Si interface trap level density (Dit) by vibrating capacitor method Examination of the CO/Pt/Cu layer structure with Kelvin probe and XPS analysis Nanocatalyst sensitizers by agglomeration of nanofilms Surface potential mapping: comparison of the vibrating capacitor and the SPV method Olfactory images by scanning Kelvin method Structural studies of sputtered noble metal catalysts on oxide surfaces H2-induced surface and interface potentials on Pd-activated SnO2 sensor films How can sensitive and selective semiconductor gas sensors be made? Response pattern of SnO2 sensor system for smoke of different origins Activating technology of SnO2 layers by metal particles from ultrathin metal films Reply to "Comments on 'Surface potential transients of ultrathin SiO2-Si structures'" H2S monitoring as an air pollutant with silver-doped SnO2 thin-film sensors Surface potential transients of ultrathin SiO2-Si structures Simultaneous response of work function and resistivity of some SnO2-based samples to H2 and H2S Semiconducting gas sensor incorporating a sparking decomposer Resistivity and work function measurements on Pd-doped SnO2 sensor surface

Meghirdetett témák

• Termikus-elektromos mikroáramkörök
• C-V módszerek a mikroelektronikában, mikromechanikában és mikrofluidikában
• C-V mérések automatizálása
• A kétszeresen kiegyenlített keverő (DBM) alkalmazási területei, típusa
• Félvezetős kapcsolómátrix fejlesztése SRP mérőberendezésekhez rendkívül magas ellenállás értékek mérésére félvezető mintákon
• ACV / FCV berendezések alacsony rádiófrekvenciás fokozatai között alkalmazott illesztések vizsgálata és ezáltal berendezések működési stabilitásának és pontosságának fejlesztése